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砷化鋁鎵/砷化銦鎵/砷化鎵假型高電子遷移率電晶體之模擬與研究:The Simulation of Pseudomorphic A10.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As/GaAs HEMTs
林嘉洤 楊柏宇 Lin, Jia-chuan; Yang, Po-yu;
聖約翰學報
21 民93.09
頁145-157
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