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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1=117 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁69-74
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:4=36 1987.01[民76.01]
- 頁 次:
頁35-40
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題 名:
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究:Investigation of InN Epilayer Grown on Ga-face GaN by RF-CBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
198 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁20-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
207 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁55-70
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題 名:
半極性氮化銦材料成長與分析:Growth and Characterization of Semi-Polar InN Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
208 2016.09[民105.09]
- 頁 次:
頁85-102
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:5=181 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁68-74
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:5=187 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁31-41
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題 名:
電漿輔助式分子束磊晶應用於氮化鎵的成長:Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy for GaN Growth
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:5=175 2010.04[民99.04]
- 頁 次:
頁65-72
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題 名:
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題 名:
原子層沉積應用在三族氮化物之生長:The Application of Atomic Layer Deposition for the Growth of Ⅲ-Nitrides
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1=159 2007.08[民96.08]
- 頁 次:
頁26-32
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題 名:
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題 名:
新一代奈米電漿材料--氮化鈦:Alternative Nano-plasmonic Material--Titanium Nitride
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
222 2020.03[民109.03]
- 頁 次:
頁4-12
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
222 2020.03[民109.03]
- 頁 次:
頁63-78
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
211 2017.06[民106.06]
- 頁 次:
頁49-59