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題 名:
多重能量氫離子佈植砷化鎵超快光電開關性能分析:Ultrafast Multi-Energy Hydrogen-Implanted GaAs Photoconductive Switches
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁29-40
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁41-46
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題 名:
砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器:GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁21-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁43-48
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁10-14
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題 名:
使用溫度變化成長氮化物多重量子井綠光發光二極體:Nitride-based Green Light Emitting Diodes Grown by Temperature Ramping
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁60-65
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:3/4 民77.11
- 頁 次:
頁32-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁67-71
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題 名:
新興二維半導體材料 : 黑磷烯的發展近況:The Emerging 2D Semiconductor Materials: The Recent Progress on Phosphorene
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:2 2015.06[民104.06]
- 頁 次:
頁5-11
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 2010.06[民99.06]
- 頁 次:
頁62-72
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
330 2017.03[民106.03]
- 頁 次:
頁10-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:2=108 2008.06[民97.06]
- 頁 次:
頁1-28
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:1=159 2021.03[民110.03]
- 頁 次:
頁53-80
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2020.09[民109.09]
- 頁 次:
頁8-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2020.09[民109.09]
- 頁 次:
頁20-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:4=158 2020.12[民109.12]
- 頁 次:
頁82-88