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題 名:
以MOCVD磊晶成長高均勻性及高品質之850 nm OC-VCSEL:
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作 者:
吳承儒
何晉國
- 書刊名:
真空科技
- 卷 期:
15:4 2002.11[民91.11]
- 頁 次:
頁57-67
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被引用次數:期刊(0) 博士論文(0) 專書(0) 專書論文(0)
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題 名:
以五族有機金屬源取代五族氫化物應用在MOCVD磊晶成長:
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作 者:
鄒文正
蘇炎坤
- 書刊名:
真空科技
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁10-14
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被引用次數:期刊(0) 博士論文(0) 專書(0) 專書論文(0)
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題 名:
使用樟腦於不同種類銅基板上所製備石墨烯之分析比較:
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作 者:
高正宇
江秉祐
徐偉豪
蔡東昇
温武義
Kao, Cheng Yu;
Chiang, Ping Yu;
Hsu, Wei-hao;
Tsai, Dung-sheng;
Uen, Wu-yih;
- 書刊名:
真空科技
- 卷 期:
33:4 2020.12[民109.12]
- 頁 次:
頁26
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題 名:
使用樟腦於不同種類銅基板上所製備石墨烯之分析比較:
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作 者:
高正宇
江秉祐
徐偉豪
蔡東昇
温武義
Kao, Cheng Yu;
Chiang, Ping Yu;
Hsu, Wei-hao;
Tsai, Dung-sheng;
Uen, Wu-yih;
- 書刊名:
真空科技
- 卷 期:
33:4 2020.12[民109.12]
- 頁 次:
頁26
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