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Study of Filamentary Resistive Switching Characteristics Based on Lithium-Doped ZnO Resistive Random Access Memory:氧化鋅摻鋰非揮發性電阻式記憶體之傳導機制研究
林俊成 朱聖緣 蔡震寰 余安錠 Lin, Chun-cheng; Chu, Sheng-yuan; Tsai, Jen-hwan; Yu, Ann-tin;
真空科技
26:4 2013.12[民102.12]
頁23-30
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