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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁25-31
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:1 1997.03[民86.03]
- 頁 次:
頁20-26
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 1984.09[民73.09]
- 頁 次:
頁54-65
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:4 2002.11[民91.11]
- 頁 次:
頁17-24
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:3=51 1994.03[民83.03]
- 頁 次:
頁72-74
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:3=47 1993.03[民82.03]
- 頁 次:
頁74-78
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:2 1994.08[民83.08]
- 頁 次:
頁6-16
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁51-59
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:1=49 1993.09[民82.09]
- 頁 次:
頁63-67
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:3/4 民77.11
- 頁 次:
頁24-31
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:1 1987.11[民76.11]
- 頁 次:
頁18-23
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:4 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁26-32
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題 名:
原子層沉積技術製作氧化鋁膜於薄膜電晶體之應用:Atomic Layer Deposited Al₂O₃ for Thin Film Transistor Applications
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:1 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁34-44
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:4 2011.12[民100.12]
- 頁 次:
頁50-56
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁27-32
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:2 2014.06[民103.06]
- 頁 次:
頁5-13
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
172 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁92-95
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁12-18
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁27-33
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名: