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- 題 名:
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- 卷 期:
12:2 1999.07[民88.07]
- 頁 次:
頁26-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:1 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁14-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁13-19
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題 名:
具有窄垂直發散角度的量子井半導體雷射:Semiconductor Quantum Well Lasers with Narrow Beam Divergence
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁20-28
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題 名:
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題 名:
多重能量氫離子佈植砷化鎵超快光電開關性能分析:Ultrafast Multi-Energy Hydrogen-Implanted GaAs Photoconductive Switches
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁29-40
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題 名:
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題 名:
砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器:GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:2 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁61-69
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題 名:
紅外線檢測技術於印刷電路板及半導體製程上之應用:The Application of IRT Method on Prient Circuits and Semicordudor Processes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:4 民90.07-08
- 頁 次:
頁124-128
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁36-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:4 2000.11[民89.11]
- 頁 次:
頁39-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:3/4 民86.11
- 頁 次:
頁21-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁15-20
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:1 1996.04[民85.04]
- 頁 次:
頁38-41
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題 名:
一維半導體奈米材料的研究:Growth and Characterization of One-Dimensional Semiconductor Nanostructures
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:2 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁33-41
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題 名:
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題 名:
銅/金與磷化銦鎵之蕭特基接觸特性與檢光器:The Characteristic of Cu/Au Schottky Contacts to InGaP and Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:2 2002.07[民91.07]
- 頁 次:
頁17-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁4-5
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁6-9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:3/4 民81.12
- 頁 次:
頁20-24
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:1/2 民84.08
- 頁 次:
頁35-37
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:1/2 民84.08
- 頁 次:
頁57-61