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虛擬基板鍺含量對應變矽元件電性影響之研究:Influence of Ge Content in Virtual Substrate on Electrical Characteristics for Strained-Si nMOSFET
林忠雄 康定國 吳忠義 郭正聞 吳三連 Lin, Chung-Hsiung; Kang, Ting-Kuo; Wu, Chung-Yi; Kuo, Cheng-Wen; Wu, San-Lein;
正修學報
20 2007.11[民96.11]
頁51-65
TCI引用統計