查詢結果
檢索結果筆數(16)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2013.01[民102.01]
- 頁 次:
頁205-216
-
-
題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
-
題 名:
-
-
題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
-
題 名:
-
-
題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
-
題 名:
-
-
題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁312-320
-
-
題 名:
以氮化鎵P-i-N偵檢元件製作之紫外光焦平面陣列顯像器:UV Focal Plane Array Based on GaN P-i-N Photodiodes
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.01[民99.01]
- 頁 次:
頁170-175
-
題 名:
-
-
題 名:
寬頻微小化功率分配器之設計研究:Design of Wide-band, Miniaturized Power Dividers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.01[民99.01]
- 頁 次:
頁221-231
-
題 名:
-
-
題 名:
主動陣列雷達雛型研製:Implementation of an Active Phased Array Radar Prototype
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4 2008.01[民97.01]
- 頁 次:
頁249-260
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16 2020.01[民109.01]
- 頁 次:
頁79-88
-
-
題 名:
氮化鎵高頻高功率元件之研究與應用:The Development of AlGaN/GaN HEMT Device for High Frequency High Power Application
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.01[民98.01]
- 頁 次:
頁211-219
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14 2018.01[民107.01]
- 頁 次:
頁42-49
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁127-137
-
-
題 名:
Ka頻段之氮化鎵功率電晶體單元(Unit Cell)研究:Study of GaN HEMTs for Ka-band Applications Using Unit Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁146-151
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁253-263
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁249-262