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題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
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題 名: