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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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題 名:
氮化鎵高頻高功率元件之研究與應用:The Development of AlGaN/GaN HEMT Device for High Frequency High Power Application
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.01[民98.01]
- 頁 次:
頁211-219
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14 2018.01[民107.01]
- 頁 次:
頁42-49
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題 名:
Ka頻段之氮化鎵功率電晶體單元(Unit Cell)研究:Study of GaN HEMTs for Ka-band Applications Using Unit Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁146-151
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題 名: