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- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
42:2 2014.04[民103.04]
- 頁 次:
頁64-70
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題 名:
碳化矽半導體材料發展及未來應用:The Future Applications and Development of SiC Semi-conductive Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
44:4 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁106-118
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題 名:
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題 名:
碳化矽單晶生長方法與模擬過程簡介:Introduction of SiC Single Crystal Growth Method and Simulation Process
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
44:4 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁119-126
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
40:1 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁135-145
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:2 2008.04[民97.04]
- 頁 次:
頁15-25
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題 名:
碳化矽晶圓缺陷暨檢測技術簡介:Introduction of Silicon Carbide Wafer Defects and Related Inspection Techniques
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
46:2 2018.04[民107.04]
- 頁 次:
頁175-182
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
49:1 2021.01[民110.01]
- 頁 次:
頁210-212
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
49:2 2021.04[民110.04]
- 頁 次:
頁234-238