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高熱穩定度(>600 ℃)介面層的開發並整合於鍺互補式金氧半場效電晶體:Development of High Thermal Stability (> 600 ℃) Interfacial Layer for Ge CMOSFETs
周承翰 蔡義河 徐崇俊 葉文冠 簡昭欣
奈米通訊
24:3 2017.09[民106.09]
頁8-12
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