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磊晶成長砷化(鎵)銦通道層於矽基板上對高效率低耗能電晶體之應用:Epitaxial Growth of A (Ga)InAs Channel on Si Substrate for High-performance Low-power-consumption Transistor Application
游宏偉 蘇俊榮 張翼
奈米通訊
25:1 2018.03[民107.03]
頁9-16
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