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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:1 2016.03[民105.03]
- 頁 次:
頁27-32
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題 名:
(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體:P-type Tunneling FETs on (110) Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:2 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁14-19
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題 名:
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題 名:
修正蕭基位障電晶體的設計考量:Design Considerations of the Modified Schottky Barrier (MSB) MOSFTES
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:1 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁2-7
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題 名:
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題 名:
原子級單層二硫化鉬帶對帶穿隧場效應電晶體:Band-to-Band Tunneling Field-Effect Transistor in an Atomic-Monolayer MoS₂
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2017.03[民106.03]
- 頁 次:
頁11-16
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題 名:
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題 名:
金屬-絕緣層-半導體接面之無摻雜場效應電晶體:A Dopingless FETs with Metal-Insulator-Semiconductor Contacts
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:1 2018.03[民107.03]
- 頁 次:
頁2-8
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:1 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁14-19