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鍺與三五族鰭式電晶體之共用高介電/金屬閘極製程開發與模擬分析優化研究:Development of Ge/IIIV Fin Field-Effect Transistor Common Gate Process and Its Numerical Simulations
朱俊霖
奈米通訊
24:1 2017.03[民106.03]
頁32-37
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