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藉由本位腔體之水氣和氧氣電漿形成界面層對高介電閘極金氧半電晶體之電性和物性量測:Electrical and Physical Characteristics of High-k Gated MOSFETs with In-situ H₂O and O₂ Plasma Formed Interfacial Layer
李彥霖 張廖貴術 李震謙 陳立庭 蘇子翔 張育維 陳廷鈞 蔡嘉琦 高嘉宏 馮浩庭 呂君章
奈米通訊
22:3 2015.09[民104.09]
頁8-12
TCI引用統計