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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
56 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁27-29
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
57 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁39-42
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁4-6
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
63 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁20-23
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2003.06[民92.06]
- 頁 次:
頁34-51
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁6-17
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- 題 名:
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編 次:
下
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
169 1993.10[民82.10]
- 頁 次:
頁33-38
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- 題 名:
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編 次:
上
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
168 1993.09[民82.09]
- 頁 次:
頁12-19
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 1983.06[民72.06]
- 頁 次:
頁34-35
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
46:11 1970.04[民59.04]
- 頁 次:
頁15-21
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6003 1971.03[民60.03]
- 頁 次:
頁9-21
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題 名:
在具有超薄(EOT=1.6nm)氮化閘極氧化層之0.13μm n型金氧半電晶體中由熱電子所引發於閘極絕緣層內之電子捕獲現象:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:4 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁6-10
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁23-27
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁28-33
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁30-41
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題 名:
(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體:P-type Tunneling FETs on (110) Substrate
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:2 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁14-19
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁22-26
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:18 民55.06.21
- 頁 次:
頁18-22