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堆疊式高介電層與金屬閘極之金氧半元件電性研究:Electrical Characteristics of MOS Devices with High-K Dielectric and Metal Gate Stacks
傅崇豪 張廖貴術 王義文 簡伯諺 吳文發
奈米通訊
16:1 2009.03[民98.03]
頁18-24
TCI引用統計