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An Analytical Threshold Voltage Model for Short-Channel Intrinsic-Type Silicon-on-insulator(SOI) P-Channel Metal-Oxide-Silicon (PMOS)Devices Based on Partitioning of Holes:根據電洞分割之可解析短通道純型在絕緣體上矽P型金氧半臨界電壓模型
陳孝賢 蘇哿暐 郭正邦 Chen, S. S.; Su, K. W.; Kuo, J. B.;
國立臺灣大學工程學刊
66 1996.02[民85.02]
頁37-49
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