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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1 1991.07[民80.07]
- 頁 次:
頁63-68
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1 1991.07[民80.07]
- 頁 次:
頁89-93
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題 名:
InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究:Study on Microstructures of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁95-104
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題 名:
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁89-98
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題 名:
Transition-energy Variations in Semiconducting Ternary GaxIn₁-xAs Alloys:半導體三元合金砷化銦鎵系列之躍遷能量變化
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 1990.12[民79.12]
- 頁 次:
頁9-17
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
51:1(A) 2022.05[民111.05]
- 頁 次:
頁21-29
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:1 1982.09[民71.09]
- 頁 次:
頁19-28
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
47:2(A) 2018.11[民107.11]
- 頁 次:
頁29-36
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
48:1(A) 2019.05[民108.05]
- 頁 次:
頁111-118