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In-Situ Micro Strain Gauges for Measuring Residual Strain of Three CMOS Thin Using Only One Maskless Post-Processing Step:僅以一道無光罩後製程完成量測三層CMOS薄膜殘留應變之現地微應變規
戴慶良 張培仁 Dai, Ching-liang; Chang, Pei-zen;
中國工程學刊
20:5 1997.09[民86.09]
頁539-548
TCI引用統計