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In迯 Al郂 As/In[febb]Ga[fec5]As(x=0.53, 0.6) Lattice-Matched and Pseudomorphic Hemts on INP Substrates:磷化銦基片上之砷化銦鋁/砷化銦鎵晶格匹配及應力層高速場效應電晶體特性之研究
吳家松 詹益仁 謝佳霖 顏天霖 綦振瀛
中國工程學刊
18:5 1995.09[民84.09]
頁707-712
TCI引用統計