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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 1995.01[民84.01]
- 頁 次:
頁141-151
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁23-31
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題 名:
Transition-energy Variations in Semiconducting Ternary GaxIn₁-xAs Alloys:半導體三元合金砷化銦鎵系列之躍遷能量變化
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 1990.12[民79.12]
- 頁 次:
頁9-17
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2015.07[民104.07]
- 頁 次:
頁(B3)1-(B3)9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 1976.06[民65.06]
- 頁 次:
頁102-135
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:1 1980.09[民69.09]
- 頁 次:
頁1-16
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 1980.12[民69.12]
- 頁 次:
頁61-68