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The C-V Hysteresis Phenomena in Aluminum/Tantalum Oxide/Sillicon Oxide/Silicon Capacitors Due to Leakage Property of Tantalum Oxide and Negative Charge Temperature Effect:氧化鉭層漏電特性和負電荷溫度效應對鋁/氧化鉭/二氧化矽/矽結構電容器C-V磁滯現象的影響
鄭明哲
新埔學報
13 1994.12[民83.12]
頁64-99
TCI引用統計