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- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 民87.05
- 頁 次:
頁225-234
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁35-40
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
51:1 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁189-197
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題 名:
氮化鎵射頻元件技術發展現況:A Survey on Technological Development of RF GaN Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:4 2022.10[民111.10]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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題 名:
超晶格多層薄膜應力模擬分析技術:Stress Simulation Analysis Technology of Superlattice Multilayer Thin Films
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
483 2023.06[民112.06]
- 頁 次:
頁21-28
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題 名: