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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72:1 1999.01[民88.01]
- 頁 次:
頁20-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:7=72 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁124-127
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題 名:
半導體元件可靠度簡介--熱載子效應:Semiconductor Device Reliability--Hot Carrier Effect
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
62 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁53-58
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:6=11 1996.06[民85.06]
- 頁 次:
頁80-86
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 民87.05
- 頁 次:
頁225-234
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁9-13
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39:2 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁1-15
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁35-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:5 2015.09[民104.09]
- 頁 次:
頁44-49
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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題 名:
應用於毫米波的三五族半導體元件:III-V Semiconductor Devices for Millimeter-wave Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁2-9
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題 名:
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 民95.07
- 頁 次:
頁97-104
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
51:1 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁189-197
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題 名:
氮化鎵射頻元件技術發展現況:A Survey on Technological Development of RF GaN Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:4 2022.10[民111.10]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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題 名:
超晶格多層薄膜應力模擬分析技術:Stress Simulation Analysis Technology of Superlattice Multilayer Thin Films
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
483 2023.06[民112.06]
- 頁 次:
頁21-28
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題 名: