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題 名:
Hot-carrier Induced Light Emission in Submicron CMOS Devices:次微米互補式金氧半元件的熱載子發光效應
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:2 2008.09[民97.09]
- 頁 次:
頁23-33
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題 名:
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題 名:
衝擊離子化效應受金氧半場效電晶體微縮之影響:Impact Ionization Phenomenon in MOSFET Scaling
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁49-64
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題 名: