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編 次:
1
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:4 1999.11[民88.11]
- 頁 次:
頁18-24
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- 題 名:
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編 次:
2
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:1 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁18-23
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:10=27 1997.10[民86.10]
- 頁 次:
頁122-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1 1994.06[民83.06]
- 頁 次:
頁49-63
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題 名:
Investigation of Dopant Activation in Delta-Doped Structures:Delta-Doped半導體中有效雜質濃度之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1995.11[民84.11]
- 頁 次:
頁423-436
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
797 2015.01[民104.01]
- 頁 次:
頁12-26