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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:3 2016.09[民105.09]
- 頁 次:
頁2-6
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題 名:
軟性電子主動元件材料技術發展現況(下):Development of Active Device Materials for Flexible Electronics (2)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
264 2008.12[民97.12]
- 頁 次:
頁145-158
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題 名:
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題 名:
利用飛行時間式電荷傳導測量系統來探討TBPe的載子傳輸特性:Carrier Transport Properties in TBPe Measured by Time-of-Flight System
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
88 2003.06[民92.06]
- 頁 次:
頁61-66
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題 名:
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題 名:
軟性電子主動元件材料技術發展現況(上):Development of Active Device Materials for Flexible Electronics (1)
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
263 2008.11[民97.11]
- 頁 次:
頁82-87
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:1(A) 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁187-199
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 民95.05
- 頁 次:
頁29-32
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題 名:
EBSD應用在低溫多晶矽薄膜之微結構分析與研究:Microstructure Analysis of Low Temperature Poly-Si Thin Films by EBSD
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
238 民95.10
- 頁 次:
頁174-180
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:5=154 2008.05[民97.05]
- 頁 次:
頁151-162