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Improvement on the Subthreshold Characteristic of High Density TFT SRAM During Hydrogenation:金屬遮蔽效應在薄膜電晶體靜態隨機存取記憶體氫化前後對元件次臨界性質的影響
陳啟文 Chen, Chii-wen;
明新學報
18 民86.05
頁13-19
TCI引用統計