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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁195-201
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題 名:
InGan-GaN Light Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy:分子束磊晶法成長InGaN-GaN發光二極體
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁211-217
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:7=16 1994.07[民83.07]
- 頁 次:
頁99-107
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:4 1992.09[民81.09]
- 頁 次:
頁503-514
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1 1993.07[民82.07]
- 頁 次:
頁143-151
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:4 1984.10[民73.10]
- 頁 次:
頁233-238
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:2=190 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁48-54
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
758 2011.10[民100.10]
- 頁 次:
頁66-79
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:5=187 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁31-41
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題 名:
以分子束磊晶法成長砷化銦量子點:Growth of InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 民95.05
- 頁 次:
頁17-23
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題 名:
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題 名:
A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD:高品質砷化銦在砷化鎵基板上成長之研究
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2:3 民95.09
- 頁 次:
頁103-110
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題 名:
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題 名:
以液相磊晶法製備高鍺組成矽鍺虛擬基板:Fabrication of High-Ge-composition SiGe Virtual Substrates
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2020.12[民109.12]
- 頁 次:
頁24
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題 名: