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題 名:
氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術:Technology of AlInGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diode
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁98-106
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題 名:
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名: