查詢結果
檢索結果筆數(19)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁99-107
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:2 1995.03[民84.03]
- 頁 次:
頁161-168
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:11=208 2012.11[民101.11]
- 頁 次:
頁62-76
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:11=220 2013.11[民102.11]
- 頁 次:
頁100-107
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
363 2013.06[民102.06]
- 頁 次:
頁39-52
-
-
題 名:
金屬有機化學氣相沉積製程與設備技術:Metal Organic Chemical Vapor Deposition Method and Apparatus
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
285 2013.06[民102.06]
- 頁 次:
頁51-59
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
399 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁83-96
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁26-31
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85:2 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁7-16
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85:2 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁25-35
-
-
題 名:
MOCVD之加熱盤模組技術:Simulation of Direct Contact Heater in MOCVD Reactor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
350 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁11-25
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
350 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁26-33
-
-
題 名:
金屬有機化學氣相沉積製程與設備技術:Metal Organic Chemical Vapor Deposition Method and Apparatus
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
350 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁34-42
-
題 名:
-
-
題 名:
MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究:Effect of Substrate Rotation on Flow Field Distribution in MOCVD Reactor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
338 2011.05[民100.05]
- 頁 次:
頁154-160
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:1(A) 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁187-199
-
-
題 名:
MOCVD磊晶製程參數系統優化技術:Optimization through MOCVD CyberEpi Technology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
435 2019.06[民108.06]
- 頁 次:
頁41-46
-
題 名:
-
-
題 名:
有機金屬化學氣相沉積成長ZnGa₂O₄薄膜及其特性探討:Characterization of ZnGa₂O₄ Thin Films Grown by MOCVD
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:1 2018.03[民107.03]
- 頁 次:
頁20_1-20_6
-
題 名:
-
-
題 名:
CVD磊晶物理模型系統分析技術:CVD Analysis Technology for Epitaxy Physical Model System
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
423 2018.06[民107.06]
- 頁 次:
頁31-39
-
題 名:
-
- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
210 2017.03[民106.03]
- 頁 次:
頁88-96