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- 題 名:
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- 卷 期:
87 2024.02[民113.02]
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
2010:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁6-11
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- 題 名:
- 作 者:
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- 卷 期:
13:2 2023.10[民112.10]
- 頁 次:
頁11-18
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2022:3 2022.09[民111.09]
- 頁 次:
頁88-97
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2022:3 2022.09[民111.09]
- 頁 次:
頁98-106
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題 名:
Ka頻段之氮化鎵功率電晶體單元(Unit Cell)研究:Study of GaN HEMTs for Ka-band Applications Using Unit Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁146-151
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
51:1 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁189-197
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁160-170
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題 名:
面板級功能化重分布層應用於先進晶片封裝之靜電防護電路:Panel Level Functional RDL for Advanced IC Packaging ESD Protection
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
433 2023.01[民112.01]
- 頁 次:
頁142-151
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
435 2023.03[民112.03]
- 頁 次:
頁107-113
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題 名:
Study of IGZO Thin Film Transistors with Al₂O₃ Gate Insulator:以三氧化二鋁為閘極絕緣層之銦鎵鋅氧薄膜電晶體之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2023.04[民112.04]
- 頁 次:
頁1-10
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2023.04[民112.04]
- 頁 次:
頁53-68