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題 名:
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究:Investigation of InN Epilayer Grown on Ga-face GaN by RF-CBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
198 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁20-37
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
207 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁55-70
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題 名:
半極性氮化銦材料成長與分析:Growth and Characterization of Semi-Polar InN Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
208 2016.09[民105.09]
- 頁 次:
頁85-102
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:5=187 2012.04[民101.04]
- 頁 次:
頁31-41
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 民94.12
- 頁 次:
頁23-29
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:1 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁9-13
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁313-317
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題 名:
Characteristics of 850 nm GaAs/AlGaAs QW LEDs with Asymmetric Photonic-Crystal Structure:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁327-332
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題 名: