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以兩階段氮化閘氧化層及非晶矽閘電極以改善金氧半元件之抗輻射特性:Radiation Hardness Improvement of MOS Device by Gate Oxynitride Using Two-Step Nitridation and Amorphous Si Gate Electrode
開執中 張廖貴術 黃振國 Kai, Ji-jung; Chang Liao, Kuei-shu; Huang, Jenn-gwo;
台電工程月刊
640 2001.12[民90.12]
頁31-47
TCI引用統計