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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁65-73
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題 名:
雜散摻雜原子對多重閘極電晶體的影響:Impact of Discrete Impurity Atoms on Multi-Gate MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁17-29
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁15-26
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題 名:
奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度:Threshold Voltage Dependence on Channel Doping for Nanoscale MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁27-35
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁37-48
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題 名:
衝擊離子化效應受金氧半場效電晶體微縮之影響:Impact Ionization Phenomenon in MOSFET Scaling
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁49-64
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題 名: