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題 名:
在具有超薄(EOT=1.6nm)氮化閘極氧化層之0.13μm n型金氧半電晶體中由熱電子所引發於閘極絕緣層內之電子捕獲現象:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:4 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁6-10
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題 名: