刊名
類目
出版年
資料類型
檢索結果筆數(1)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
在搜尋的結果範圍內查詢:
全部
排序
每頁顯示
1
閘極氧化層以鉿化合物取代二氧化矽之CMOS元件特性探討:Electrical Simulation of HfO₂ and SiO₂ Materials as CMOS Gate Dielectrics
陳蕙質 陳思羽 劉允中 邱琦清 朱明毅 譚湘瑜 Chen, H. Z.; Chen, S. Y.; Liu, Y. Z.; Qiu, Q. Q.; Chu, M. I.; Tan, S. Y.;
華岡工程學報
22 2008.06[民97.06]
頁241-244
TCI引用統計