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檢索結果筆數(12)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
56 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁30-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10=75 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁166-170
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題 名:
飛行時間二次離子質譜儀的原理與應用:The Principle and Applications of Secondary Ion Mass Spectrometer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3=131 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁14-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:10 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁25-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
54 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁15-18
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
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題 名:
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題 名:
強化藍寶石單晶光窗(罩)材料之研究:A Study of Strengthening Sapphires as Window and Dome Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
40:1(A) 2011.05[民100.05]
- 頁 次:
頁165-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁312-320
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題 名:
低維度半導體材料之關鍵技術與應用:Key Technologies and Applications of Low-dimensional Semiconductor Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
233 2022.12[民111.12]
- 頁 次:
頁10-18
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題 名: