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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁312-320