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- 題 名:
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- 卷 期:
7:7=72 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁166-173
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
222 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁158-169
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:3 1995.05[民84.05]
- 頁 次:
頁437-444
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:3 2005.08[民94.08]
- 頁 次:
頁57-59
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 民95.02
- 頁 次:
頁49-54
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:7=444 2012.07[民101.07]
- 頁 次:
頁6-25
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
292 2013.10[民102.10]
- 頁 次:
頁29-60
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:4 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁36-43
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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題 名:
應用於毫米波的三五族半導體元件:III-V Semiconductor Devices for Millimeter-wave Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁2-9
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題 名:
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題 名:
高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究:The Study of GaN Epitaxy on High Thermal Conductive Si Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁169-177
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
338 2011.05[民100.05]
- 頁 次:
頁97-104
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁37-46
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁18-23
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁32-36
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題 名:
利用TEM和PL技術探討MOVPE成長條件對InGaP/GaAs反向介面性質的影響--透過最佳化成長條件抑制InGaP/GaAs介面內InGaAsP混合層的形成:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:7=132 民95.07
- 頁 次:
頁122-128
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
278 民95.05
- 頁 次:
頁16-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:2 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁32-41