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Reactive Ion Etching of GaAs by Using CCI[feaf] F[feaf] and Ar in a Parallel-Plate Type Reactor:應用 CCI[feaf] F[feaf]和Ar於反應離子蝕刻砷化鎵晶片之研究
丁坤山
MRL Bulletin of Research and Development
4:2 1990.09[民79.09]
頁77-83
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