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Effects of N-Type Shallow Implantation Depletion Layer Width on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabricated on P-Type Substrate:N型淺離子佈植空乏層寬度對製造在P型基片蕭基能障二極體崩潰電壓之影響
黃亞麒 李連城 Huang, Ya-chi; Li, Lien-cheng;
黃埔學報
38 1999.12[民88.12]
頁317-334
TCI引用統計
2
An Analysis of Optimistic Model Parameter Concerned about N-Type Shallow Implantation Depletion Layer Width on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabri-Cated on P-Type Substrate:N型淺離子佈植空乏層寬度對製造在P型基片之蕭基能障二極體崩潰電壓最佳模式參數之分析
黃亞麒 Huang, Ya-chi;
43 2002.09[民91.09]
頁321-340