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題名 | 光阻曝光後延遲烘烤對線寬影響之分析與討論= |
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作者 | 謝嘉民; 古進譽; |
期刊 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
出版日期 | 19990500 |
卷期 | 6:2 1999.05[民88.05] |
頁次 | 頁38-42 |
分類號 | 448.57 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 光阻曝光; 延遲; 烘烤; 線寬; |
中文摘要 | 本實驗分析一目前廣泛使用在“線 / 間距”( line & space )之光阻中所添加 的有機鹼性物質( NMP )對烘烤後時間延遲所相對於線寬的變異。 影響實驗結果的相關因 素經由人為控制或實驗證明予以排除。 不同線寬的變異值與烘烤後時間延遲( PED )的相 關性可由一經驗方程式準確的得到。經由準確的控制烘烤後時間延遲,可用於光學繞射現象 ( Optical Proximity Effect )之修正上。 |
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