查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- Symmetric Delta-Doped InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors with Graded Heterointerface
- δ摻雜電子元件與傳統電子元件特性之比較
- High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor
- Electrical Characteristics of In0.5Ga0.5P/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistors Using Spacer Layers
- 矽鍺漸變通道摻雜場效電晶體之研製
頁籤選單縮合
題名 | Symmetric Delta-Doped InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors with Graded Heterointerface=具有漸變異質接面的對稱型δ-摻雜砷化銦鎵/砷化鎵場效電晶體 |
---|---|
作者 | 李亦顓; 林育賢; 吳昌崙; 許渭州; Li, Y. J.; Lin, Y. S.; Wu, C. L.; Hsu, W. C.; |
期刊 | 吳鳳學報 |
出版日期 | 199806 |
卷期 | 6 1998.06[民87.06] |
頁次 | 頁81-86 |
分類號 | 448.552 |
語文 | eng |
關鍵詞 | 低壓有機金屬化學汽相沉積法; 異質結構場效電晶體; 漸變通道; δ摻雜; LP-MOCVD; HFET; Graded channel; Delta-doped; |