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題名 | C頻段低雜訊模組之研製=The Study of a C-Band Low Noise Block |
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作者 | 周允仕; 鄭明哲; Chou, Yen-hsih; Jeng, Ming-jer; |
期刊 | 新埔學報 |
出版日期 | 19991000 |
卷期 | 17 1999.10[民88.10] |
頁次 | 頁299-317 |
分類號 | 448.532 |
語文 | chi |
關鍵詞 | C頻段; 低雜訊模組; 電路; Low noise block; LNB; |
中文摘要 | 本文是研究C頻段(3.7~4.2GHz)接收端內低雜訊模組(low noise block,LNB)電路的設計與製作。首先,將此模組分成低雜訊放大器(low noise amplifier,LNA)、混頻器 (mixer)、本地振盪(local oscillation)、低通濾波電路、中頻放大(intermediate amplifier,I.F.)及電源供應等6個子電路。其中低雜訊放大器是採用三級低雜訊砷化鎵蕭基場效電晶體(GaAs MESFET)來設計,具有30dB以上之增益(gain)及0.5dB以下之雜訊度(noise figure)。而混頻器是以3dB之90 單平衡混頻器方式設計,其轉換損失(conversion loss)約為8dB,具有20dB以上之隔離度(isolation)。低通濾波器以簡單之LC濾波器製作,具有約3dB之插入損失(insertion loss)。本地振盪採用介電質共振方式(dielectric resonator),在5.15GHz時其輸出功率為3.67dBm,而1OKHz時具有-11OdBc之相位雜訊。中頻放大電路採用3級矽製雙極性電晶體來完成,具有35dB以上之增益。電源供應部分需要正負電源,考慮一般實際情況,以簡易之充放電電容來產生負壓。然後以微帶傳輸線(microstrip line)之設計製作技術,完成各部份電路之阻抗匹配及整合,很成功的製作出雜訊度為25K及增益為65dB以上之C頻段低雜訊模組,完成之電路可實際應用於C頻段之衛星接收系統。 |
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