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題名 | 無內部架橋的銅(Ⅱ)錯合物之合成與X光晶體結構分析(1)=The Synthesis of the Copper(Ⅱ) Complexes and X-Ray Sructures of Non-Endogenous Bridge Group |
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編 次 | 1 |
作者 | 曾文峰; | 書刊名 | 大仁學報 |
卷期 | 15 1997.03[民86.03] |
頁次 | 頁45-53 |
分類號 | 361.4 |
關鍵詞 | 無內部架橋; 銅; 錯合物; 合成; X光晶體; 結構; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 由無內部架橋配位子EDTB、PMDTB及CDTB,合成錯合物Cu(EDTB)(CIO�瓷^�砥B Cu ( CDTB ) Cl �砥B Cu ( CDTB )( CIO �瓷^�砥B Cu ( PMDTB )( CIO �瓷^�砟� Cu ( PMDTB ) Cl �砥A比較它們結構的異同,並探討形成單核或雙核錯合物的因素有三, ヾ配位子可配位數(和配位後是否有張力相關), ゝ配位子二胺( diamine )間之鍵長, ゞ配位子本身的立體阻礙。 |
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