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題名 | Room-temperature Photoreflectance as an Efficient Toll for Growth Studies of InAIGaAs on InP by Molecular Beam Epitaxy=室溫之砷化銦鋁鎵四元化合物半導體光調制反射光譜研究 |
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作者 | 陳堯輝; | 書刊名 | 臺北技術學院學報 |
卷期 | 29:2 1996.07[民85.07] |
頁次 | 頁1-11 |
分類號 | 336.5 |
關鍵詞 | 砷化銦鋁鎵; 四元化合物; 半導體; 光調制反射光譜; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 以脈衝式分子束磊晶及四支分子槍磊晶成長之砷化銦鋁鎵四元化合物半導體利用 光調制反射光譜術加以測量,從光調制反射光譜可以求得能隙隨鋁成份呈線性正比關係, 磊晶層之品質亦可由光調制反射光譜訊號之譜寬作一比對。 |
英文摘要 | The InAlGaAs lattice-matched to InP substrates was obtained by MBE with pulsed molecular beam and conventional method. The dependence of the energy band gap of InAlGaAs on Al composition, x, was found to be linear in the range of 0[][][]1. The quality of InAlGaAs epilayers were also characterized from the broadening parameters of PR sepectra. |
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